Description de l'offre
Le développement de technologies de transistors avancées implique des études en caractérisation électrique et fiabilité poussées. En effet dans un contexte de continuelle diminution des dimensions caractéristiques des dispositifs CMOS, il est essentiel comprendre les mécanismes de fonctionnement des transistors et de prédire l'évolution des caractéristiques via des modèles prédictifs.
Pour ce faire le Laboratoire de Caractérisation Electrique et Fiabilité (LCEF) a besoin de renforcer son équipe afin de mener ces études et éclairer la compréhension de leur fonctionnement.
Dans le cadre de vos missions, vous mettez en œuvre des caractérisations électriques avancées sur wafers 300mm de dispositifs CMOS en technologie FDSOI avancée (<28 nm) afin d’identifier les paramètres clés impliqués dans la fonctionnalité et les dégradations et contribuer à l’amélioration des procédés de fabrication. La caractérisation électrique s’appuie sur des mesures standard IV/CV mais aussi sur des mesures dynamiques de type bruit BF, CG(w), pulser IV.
Vous êtes en charge de :
Nous vous proposons d'intégrer un environnement de recherche unique pour une expérience sur une thématique à la pointe de l’innovation. Vous bénéficierez
#Nanotechnology
Profil du candidat
De niveau Ingénieur / Master 2 ou avec un doctorat dans le domaine de la physique des semi-conducteurs, avec une expérience dans le domaine des tests électriques de composants.
Une connaissance de la physique des composants CMOS est souhaitée avec des compétences en programmation python pour le pilotage des tests et le traitement des données.
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!
